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휴먼터치 방식의 간단한 인버터에서 스위치 부분을 아두이노의 digitalWrite(0 명령으로 듀티 신호를 만들어 TR을 이용해 스위칭 해보자.
TR은 흔히 구할 수 있는 NPN 형 C1815를 사용한다. 누름 스위치에 해당하는 부분은 TR의 콜렉터 C와 에미터 E를 연결한다. 그러면 베이스 B에서 스위칭에 충분한 1.5V 안팎의 전압을 공급하면 TR이 on 이 된다. 에미터에 1.5V 건전지가 배치되어 있어 회로가 좀 이상스럽기는 하나 잘 작동한다. 이 TR 회로의 목적은 콜렉터에서 에미터로 큰 전류를 흐르게 하는 용도는 아니며 단순한 스위칭이 목적이다.
스위치 on 과 OFF 위치에서 서로 반대되는 방향의 2V 수준의 2차 코일의 전압이 관찰된다.
현재의 실험 결과는 100msec 의 아두이노 digitalWrite(2,HIGH) 및 digitalWrite(2,LOW) 에 의한 듀티 입력을 사용하였으나 1msec 수준의 듀티 발생도 가능하며 2차 코일 발생 전압이 촘촘한 교류모양을 가지게 될 것이다.
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